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碳化硅价格之所以居高不下的缘由是什么

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西甲买球:碳化硅价格之所以居高不下的缘由是什么

西甲买球: 发布日期:2019-10-14 作者: 点击:

碳化硅价格之所以居高不下的缘由是什么


  碳化硅价格居高不下其缘由之一就是物以稀为贵,是亘古不变的真理。自然界中的莫桑石非常稀少,根本没有开采价值,也找不到。更为残酷的是,制备高纯sic单晶的条件非常苛刻,特别是制备半导体光电器件。任何事物都会具有特性,包括碳化硅也是一样的具有物理特性。在制造过程中也存在一些实际问题,需要相关研究人员加以解决。碳化硅的种类较多,企业根据需求选择合适的碳化硅产品。碳化硅虽然具有优异的性能,但其广泛应用仍面临一些挑战。在这个行业的同事或朋友可能很清楚,但大多数人仍然不太了解这个行业。

碳化硅.jpg

  现在利用碳化硅制备led照明设备的技术已经非常成熟,并已应用于半导体激光器和探测器。sic发光二极管的辐射波长可以覆盖绿光到紫光(400-550nm)波段。它在光信息显示和光集成电路领域有着广阔的应用前景。在市场上,sic光电器件、功率器件和微波器件也得到了广泛的应用,如pin二极管、肖特基二极管、mesfet、mosfet、晶闸管、sic基发光二极管等。这种电力电子器件充分利用了碳化硅具有耐高温、高频、高压、大功率等优点。例如,硅器件的最大工作温度约为200℃,但SiC器件可以在400℃下高速运行。但由于成本问题,sic电子器件主要应用于军用飞机、军舰等。目前,民间市场还比较有限。


  熔点小于金刚石,大于si单晶。因此,在制备si的条件下,sic中不存在液相。sic的制备条件为:压力1000pa左右,温度2000c以上,化学配比理想。因此,从商业角度来看:sic单晶不能像si单晶那样从熔体中拔出。是第三代半导体材料中最成熟的材料之一。第三代半导体,即宽禁带半导体,主要包括碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化锌、金刚石等(第一代半导体主要是硅、锗等简单半导体材料;第二代半导体主要指GaAs,inp和其他化合物半导体材料)。sic的禁带宽度是si的2-3倍,热导率是si的4-5倍,击穿电压是si的8倍,电子饱和漂移率是si的2倍。因此,碳化硅特别适用于高温、高频、抗辐射和大功率器件。


  籽晶升华法,又称为物理气相转移(pvt),是目前世界上制备sic单晶的常用方法。其原理是通过感应加热或电阻加热准闭式坩埚系统,将固体混合物作为生长源置于温度较高的坩埚底部,将晶种固定在温度较低的坩埚顶部。在低压和高温下,生长源升华和分解产生气态物质。生长源和籽晶之间存在温度梯度,这导致压力梯度。这些气体物质随后被输送到种子晶体的低温位置,形成过饱和,种子晶体开始生长。


  以上是关于西甲买球主打产品碳化硅的介绍。碳化硅工艺发展面临的最大问题是如何解决因材料过硬而造成的高成本问题。目前,同规格碳化硅器件的价格是原硅器件的5至6倍。如此高的价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应用和推广。我们相信凭着雄厚的技术力量和敏锐的市场意识,以先进的管理理念,精湛的制作工业,优良的产品品质打造中国铸造材料的品牌。以开放的姿态,完善的售后服务,及时的技术支持,想要了解更多内容请关注西甲买球官方网站,我们竭诚为您提供优质的服务!


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