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碳化硅是有什么样的优势才会发展这么迅速

　　或许就是因为“物以稀为贵”所以碳化硅才会受欢迎？工业碳化硅由于杂质的种类和含量不同，呈淡黄色、绿色、蓝色甚至黑色。它的透明度因其纯度而异。碳化硅的晶体结构分为六方或菱形α-sic和立方β-sic（称为立方碳化硅）。α-碳化硅由于其晶体结构中碳原子和硅原子的不同堆积顺序而被发现有70多种变体。β-sic在2100℃以上转变为α-sic，制备碳化硅的工业过程是在电阻炉中精炼优质石英砂和石油焦。精制后的碳化硅块经破碎、酸碱洗涤、磁选、筛分或分水等工序生产出各种尺寸的产品。碳化硅的种类较多，企业根据需求选择合适的碳化硅产品，在制造过程中也存在一些实际问题，需要相关研究人员加以解决。在这个行业的同事或朋友可能很清楚，但大多数人仍然不太了解这个行业。接下来，我们一起来了解一下。

　　目前，利用碳化硅制备led照明设备的技术已经非常成熟，并已应用于半导体激光器和探测器中。sic发光二极管的辐射波长可以覆盖绿光到紫光（400-550nm）波段。它在光信息显示和光集成电路领域有着广阔的应用前景。

　　在市场上，sic光电器件、功率器件和微波器件也得到了广泛的应用，如pin二极管、肖特基二极管、mesfet、mosfet、晶闸管、sic基发光二极管等。这种电力电子器件充分利用了碳化硅具有耐高温、高频、高压、大功率等优点。例如，硅器件的更高工作温度约为200℃，但sic器件可以在400℃下高速运行。但由于成本问题，sic电子器件主要应用于军用飞机、军舰等。目前，民间市场还比较有限。

　　“物以稀为贵”是不变的真理。自然界中的莫桑石非常稀少，根本没有开采价值，也找不到。更为残酷的是，制备高纯sic单晶的条件非常苛刻，特别是制备半导体光电器件。sic的熔点小于金刚石，大于si单晶。在制备si的条件下，sic中不存在液相。sic的制备条件为：压力1000pa左右，温度2000c以上，化学配比理想。因此，从商业角度来看：sic单晶不能像si单晶那样从熔体中拔出。

　　升华，又称为物理气相转移，是目前世界上制备sic单晶的常用方法。其原理是通过感应加热或电阻加热准闭式坩埚系统，将固体混合物作为生长源置于温度较高的坩埚底部，将晶种固定在温度较低的坩埚顶部。在低压和高温下，生长源升华和分解产生气态物质。生长源与种子晶体之间存在温度梯度，导致压力梯度。这些气体物质随后被输送到种子晶体的低温位置，形成过饱和，种子晶体开始生长。

　　除上述方法外，还有两种常用的方法：高温化学气相沉积（htcvd）和液相沉积（lpe）。这两种方法的生长温度也需要1500-2500℃，但与pvt法相比，两种方法都还不成熟。下图是SiC和Si单晶生长条件的比较。

　　近两年来，随着电动汽车和5G通信技术的发展，具有良好导热性和高电压、高频率的耐环境SiC器件受到了人们的重视，并开始迅速发展。在我国，低功耗碳化硅器件也已从实验室进入实用器件的生产阶段。但是，与碳化硅晶片相比，价格仍然比较高，并且存在很多缺陷。因此，它的应用市场需要一段时间才能像硅器件一样广泛成熟。

　　综上所述就是产品碳化硅的介绍。碳化硅具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性好等优点，除磨料外，还有许多其他用途。如采用特殊工艺在涡轮叶轮或缸体内壁涂覆碳化硅粉末，可提高其耐磨性，使其使用寿命延长1-2倍。优质耐火材料，抗热震，体积。亓壳，强度高，节能效果好。低品位碳化硅（含碳化硅约85%）是一种优良的脱氧剂。它可以加快炼钢速度，控制化学成分，提高钢的质量。我们相信凭着雄厚的技术力量和敏锐的市场意识，以先进的管理理念，精湛的制作工业，优良的产品品质打造中国铸造材料的品牌。以开放的姿态，完善的售后服务，及时的技术支持，想要了解更多内容请关注西甲买球官方网站，我们竭诚为您提供优质的服务！