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碳化硅通态比电阻会大大降低其动态损耗也会大大降低

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西甲买球:碳化硅通态比电阻会大大降低其动态损耗也会大大降低

西甲买球: 发布日期:2019-09-28 作者: 点击:

  碳化硅通态比电阻会大大降低其动态损耗也会大大降低


  据说碳化硅的动态损耗会大大降低,通态比电阻也会大大降低。碳化硅虽然具有优异的性能,但其广泛应用仍面临一些挑战。碳化硅的种类较多,企业根据需求选择合适的碳化硅产品,在制造过程中也存在一些实际问题,需要相关研究人员加以解决。在这个行业的同事或朋友可能很清楚,但大多数人仍然不太了解这个行业。为了获得合理的导通电阻,驱动碳化硅 mosfet通常会选择较高的栅压,而使用较高的栅压会增加栅氧化层的电应力,这将对器件的长期可靠性产生负面影响。为了解决这些问题,一方面碳化硅衬底处理、外延生长和制备技术的进步将大大降低缺陷密度;另一方面,器件结构的改进也将有助于降低栅极驱动电压,延长器件寿命。

碳化硅.jpg

  用碳化硅代替硅,不仅可以大大降低通态电阻,而且可以大大降低动态损耗。这是因为碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍,其电子饱和漂移速度是硅的2倍,更有利于提高器件的工作频率。传统的硅基高频功率器件,如mosfet和肖特基二极管,在正向压降倍增的情况下,可以获得更高的耐压,不适合高压应用。目前常用的mosfet耐压在900v以下,因此目前si-igbt主要用于高压领域,而igbt是双极器件。关断时存在尾流,导致开关损耗大。sic mosfet能够承受相当高的阻断电压,而且由于它是单极器件,因此没有尾流。sic的出现将使mosfet和肖特基二极管的应用向更高的电压水平扩展。碳化硅的单位面积导通电阻很低。与功率级相同的si器件相比,sic器件的芯片尺寸大大减。纳缛菁跣。沟们菀,开关速度更快。由于碳化硅器件的高频工作特性,可以在系统中使用较小的变压器,这样可以减少开关损耗,提高效率,大大减小系统体积。


  碳化硅具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性好等优点,除磨料外,还有许多其他用途。如采用特殊工艺在涡轮叶轮或缸体内壁喷涂碳化硅粉末,可提高其耐磨性,使用寿命可延长1-2倍;制造用优质耐火材料,抗热震,体积。亓恐。重量轻,强度高,节能效果好。低品位碳化硅是一种优良的脱氧剂。它可以加快炼钢速度,控制化学成分,提高钢的质量。此外,碳化硅还广泛用于制造电热元件用碳化硅棒。


  碳化硅是1891年美国艾奇逊在电熔金刚石实验中发现的一种碳化物。当时,它被误认为是钻石的混合物。所以它被命名为钻石。1893年,艾奇逊发展了碳化硅的工业熔炼方法,即艾奇逊炉,俗称艾奇逊炉。到目前为止已经用过了。以碳素材料为芯体的电阻炉是开放式的。碳化硅是由二氧化硅和碳的混合物通过电加热产生的。


以上是关于西甲买球主打产品碳化硅的介绍。碳化硅是由硅和碳组成的复合半导体材料。c原子与si原子之间不同的键合方式使碳化硅具有4h、6h、3c等多种晶格结构。4h-碳化硅由于其高载流子迁移率和高电流密度,常被用作功率器件。比较了4h-碳化硅和si的物理性能。可见4h-碳化硅的禁带宽度是si的3倍,击穿场强是si的10倍,漂移率是si的2倍,热导率是si的2.5倍。我们相信凭着雄厚的技术力量和敏锐的市场意识,以先进的管理理念,精湛的制作工业,优良的产品品质打造中国铸造材料的品牌。


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