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碳化硅是何方神圣那又有什么样的魔力吸引着人们

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西甲买球:碳化硅是何方神圣那又有什么样的魔力吸引着人们

西甲买球: 发布日期:2019-09-28 作者: 点击:

  碳化硅是何方神圣那又有什么样的魔力吸引着人们


  说起碳化硅来它到底是何方神圣呢?碳化硅的种类较多,企业根据需求选择合适的碳化硅产品,在制造过程中也存在一些实际问题,需要相关研究人员加以解决。在这个行业的同事或朋友可能很清楚,但大多数人仍然不太了解这个行业。碳化硅是由碳和硅元素组成的复合半导体材料。碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga2O3)等,由于带隙宽度大于2.2eV,统称为宽带隙半导体材料,在我国也被称为第三代半导体材料。

碳化硅.jpg

  历史上第一次发现碳化硅是在1891年,美国人艾奇逊在电解金刚石过程中发现了一种碳化合物,这是碳化硅的第一次合成和发现。经过百年的探索,特别是进入21世纪,人类终于阐明了碳化硅的优势和特点,并利用碳化硅的特性制造出各种新型器件。碳化硅工业发展迅速。与传统硅材料相比,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,导热系数是硅的4-5倍,击穿电压是硅的8倍,电子饱和漂移率是硅的2倍。碳化硅具有多种特性,特别适用于高温、高压、大电流、高频、大功率器件。目前碳化硅的晶体结构约有200种,如立方密排闪锌矿α晶结构(2h、4h、6h、15r)和六方密排纤锌矿β晶结构(3c-sic)。其中,β晶体结构(3c-sic)可用于制备高频器件和其它薄膜衬底,如gan外延层、sic基gan微波射频器件等;α晶体4h可用于制备大功率器件;6h更稳定,可用于制备光电子器件。


  第三代半导体材料与传统硅材料的应用领域完全不同。硅更多地用于制造传统的集成电路芯片,如存储器、处理器、数字电路和模拟电路。碳化硅耐高压、耐电流,特别适合制造大功率器件、微波射频器件和光电子器件。特别是在未来功率半导体领域,当碳化硅的成本降低时,它将在一定程度上取代硅基mosfet-igbt。但碳化硅不会被用作数字芯片。它们是互补的。在一些功率器件领域,碳化硅芯片将在未来占据主导地位。目前,碳化硅和氮化镓晶片要想充分利用其材料特性,理想的解决方案是在碳化硅单晶衬底上生长外延层。也就是说,碳化硅上的长碳化硅外延层可用于制造功率器件;碳化硅上的长gan外延层可用于制造中低压(650v以下)高频功率器件、高功率微波射频器件和光电器件。


  综上所述就是我们介绍产品碳化硅的介绍。在半导体工业中,可分为:第一代元素半导体材料,如硅(Si)和锗(Ge);第二代化合物半导体材料,如GaAs、InP;第三代宽带隙材料,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)。氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga2O3)。其中,碳化硅和氮化镓是更有前途的半导体材料,堪称半导体行业新一代的金轨。我们以开放的姿态,完善的售后服务,及时的技术支持,想要了解更多内容请关注西甲买球官方网站,我们竭诚为您提供优质的服务!


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